Preparation of InSb nanocrystals embedded in SiO2 thin films

InSb nanocrystals embedded in SiO₂ thin films were prepared by rf magnetron cosputtering technique. THe observation by transmission electron microscope showed that InSb nanocrystals dispersed uniformly in SiO₂ matrices. InSb nanocrystals with different sizes can be obtained by changing the annealing condition. The average size of InSb nanocrystals depended on annealing temperature and time, but not on the t_1/3 rules. X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray diffraction were also applied to the analyses of the composite thin films.     

量子盒的弹道电导

应用量子力学波函数阻抗匹配方法,作者研究了准一维无相互作用电子气通过量子盒的弹道传播。在通过量子盒时,电子除受到盒边界的弹性散射外是自由的。作者计算了量子盒电导作为盒长度和宽度的函数。计算结果表明,当长度较短时,电导显示带有规则脉冲振荡的确定的量子化台阶;随着长度的增加,电导曲线逐渐趋于无规振荡的图样。     

强受限半导体量子点的形状对受限激子的影响

在有效质量近似下,采用无限深势阱模型研究了强受限范围内球形、圆柱形、立方形半导体量子点的形状对受限激子的影响。结果表明对于采用体激子的等效Ｒｙｄｂｅｒｇ能量Ｒ＾＊比较大的材料制备的量子点,其形状带来的影响是显著的。     

酉变换与量子系统超收敛微扰的简化推导

如同无限小正则变换服从正则方程一样,经无限小酉变换后的态矢量服从以生成元为哈密顿量,以小参数为“时间”的薛定谔方程,直接用酉变换给出量子系统超收敛微扰的简化推导。     

只用两个偏振态的量子密码术方案

本文提出一种基于海森堡测不准关系的、只用两个非正交偏振态光子的量子密码术新方案,对其原理和防窃听性进行了详细的讨论,并和国际上流行的几种方案进行了比较。     

用热处理方法降低PTC陶瓷发热体的电阻值

提出了一种利用隧道窑热处理方式降低ＰＴＣ陶瓷发热体电阻值的新方法．这种方法不仅能降低电阻值而且还能提高ＰＴＣ陶瓷的主要电性能;同时还讨论了热处理条件对电性能的影响．     

小尺寸金属系统电导率的计算

运用量子统计要函数方法和久保公式分别计算一维金属线、二维金属薄膜的杂质散射电导率,计算结果表 尺寸金属系统的电导率跟金属系统上有关,具有量子尺寸效应。     

分形子-电子相互作用导致的电阻率

利用推广的Hnsch-Mahan量子输运方程,求解了分形子-电子相互作用系统的电阻率.克服了电阻率的低温发散困难,给出了电阻率反常处的温度.     

用非对称零标架研究Vaidya-Bonner-de Sitter黑洞Dirac粒子的热辐射

用一种非对称零标架研究了Vaidya-Bonner-de Sitter黑洞的Dirac方程，对所得方程的各项系数进行了讨论，得出了黑体谱、Hawking温度与视界表面引力．     

一类半导体方程组整体弱解的存在性

考虑一类半导体方程组的混合初边值问题。利用正则化算子和逼近过程，通过一系列先验估计，在迁移率既不为常数，又不满足速度饱和的条件下，证明了其整体弱解的存在性．